Saat ini media penyimpanan SSD sedang menjadi tren baru
dalam teknologi media storage. Hard disk berbasis teknologi Flash memory ini
mudah ditemukan di berbagai perangkat keluaran baru, seperti iPad, smartphone,
notebook, bahkan PC. Beberapa produsen PC telah mengganti storage hard disk
magnetik menjadi SSD untuk alasan kecepatan. Padahal, awalnya teknologi Flash tidak
dirancang untuk penyimpanan massal karena memory semi konduktor ini terlalu
lambat bekerja. RAM dan CPU PC bahkan dapat memproses data 20 kali lebih cepat
dibandingkan proses baca dan tulis pada SSD berbasis Flash.
SSD (Solid State Disk) |
Namun sekarang, banyak perusahaan berkompetisi dalam
mengembangkan teknologi pengganti SSD. Perusahaan besar seperti IBM, Toshiba, atau Fujitsu telah mengeluarkan
milyaran dollar untuk mengembangkan teknologi penyimpan data supercepat. Mereka
telah memiliki sumber daya yang banyak untuk meneliti lusinan metoda baru yang
lebih cepat, lebih tahan banting, dan lebih hemat listrik daripada SSD.
Beberapa teknologi baru kini telah muncul sebagai pengganti SSD. Teknologi
seperti MRAM, FeRAM, PCM dan lainnya mulai disiapkan untuk dipasarkan paling
tidak di awal tahun 2013.
Munculnya pengganti Flash memang sangat dibutuhkan karena
pengembangan teknologi Flash telah mencapai batas maksimal. Sel-selnya sulit diperkecil
lagi untuk mencapai kapasitas simpan yang lebih besar. Selain itu, usia pakai dan konsumsi listrik
juga sulit dioptimalkan lebih jauh lagi. Penyebabnya terletak pada cara kerja sel Flash
(lihat kanan atas). Pada dasarnya, sel Flash merupakan sebuah transistor dengan
tiga kontak di dalamnya, yaitu untuk sumber listrik, saluran kendali, dan
output. Saluran kendali memungkinkan arus listrik mengalir atau tidak, sesuai
dengan prinsip "1" (mengalir) atau "0" (tidak mengalir). Sebenarnya, CPU dan RAM juga terdiri atas
transistor. Namun, begitu komputer dimatikan, data di dalamnya langsung hilang.
Oleh karena itu, sel Flash memiliki sebuah elemen lainnya, Floating Gate, yang
dapat menyimpan muatan listrik secara permanen dalam bentuk elektron.
Masalah utama storage berbasis Flash adalah untuk proses
tulis dan hapus memerlukan arus listrik yang lebih kuat. Oleh karena itu,
elemen Floating Gate (yang pada kenyataannya "memegang" elektron
dengan buruk) membutuhkan tambahan isolasi tebal yang dapat dilalui elektron
bertegangan tinggi. Namun, tegangan tinggi ini akan memperpanjang waktu akses
karena setiap kali harus dibangun. Hal ini tentunya dapat memperpendek usia sel
karena sebagian kecil dari lapisan isolator akan hilang setiap kali muatan
diisi atau dikosongkan.
Sel-sel Flash dalam SSD biasa rata-rata hanya tahan 10.000
proses tulis dan setelah itu tidak dapat digunakan lagi. Kepekaan sel Flash ini
menuntut controller yang rumit dan pintar untuk proses tulis yang canggih.
Dengan terus berkembangnya teknologi baru, kini lapisan isolasi bisa dibuat
semakin tipis, tetapi dapat menambah usia pakai.
Nah, untuk mengatasi berbagai masalah dan kekurangan
tersebut lah, diciptakan berbagai Teknologi seperti MRAM, FeRAM, PCM.